第(1/3)页

    mosfet可以说是最常见的晶体管，几乎不需要通过输入电流来控制负载电流。

    mosfet多种多样，但是基本都能够分成两类，增强型和耗尽型。

    然后这两种类型可以用作n沟道或者p沟道。

    mosfet是平面晶体管，而胡正明发明的finfet架构则是3d的晶体管，3d晶体管能够克服晶体管本身可能遭遇的短沟道效应。

    简单来说finfet能以更低的成本实现更高的性能指标。finfet的设计主要为突破25nm制程，解决mosfet由于制程缩小伴随的隧穿效应。

    当然从finfet这个架构2000年被胡正明提出，到2001年胡正明加入台积电作为首席专家，台积电在2002年12月才拿出第一个真正意义上的finfet晶体管。

    而一直到了2012年商用22nm的finfet架构的晶体管才面世。

    这是一个非常漫长的过程。

    周新要讲的是mosfet架构的某一种优化。

    带有些许的finfet架构思想在其中。

    但是顺着这条路去思考，反而会走上弯路。

    “......我们可以发现当一端没有电压时，通道会显示最大电导。当两端电压同为正或同为负的时候，通道的电导率会降低。

    我们尝试关闭不导通的区域，让mosfet在该区域工作的时候，把欧姆区作为放大器。

    在饱和区mosfet的i    ds是恒定的，尽管v    ds增加并且一旦v    ds超过夹断电压v    p的值就会发生。

    在这种情况下，该设备将像一個闭合的开关一样工作，饱和的i    ds值流过该开关。

    因此，无论何时需要    mosfet执行开关操作，都会选择该工作区域......

    这样一来我们就能够让mosfet在较低电压下以更高效率运行。”

    周新的论文讲完后台下响起了礼貌的掌声。

    因为周新的内容是纯粹的模型，也就是从理论层面讲述一个更加优秀的mosfet架构，而缺乏实验数据。

    很多东西模型设计的很完美，不代表在实验室复刻出来真的有这么完美。

    现实世界是无法像理论推演一样完美的。
    第(1/3)页